+7 (495) 66-99-572

Категории

Тест

 Новости

Carlo Gavazzi: Надежное и экономически эффективное обнаружение. Надежное и экономически эффективное обнаружение. С помощью нового датчика доступен более полный спектр беспроводных модулей.Лаинате, сентябрь 2014 - Carlo Gavazzi Automation представила беспроводной датчик для автоматизации приложений в домах и зданиях. SHDWWISENxxx является беспроводным датчиком, с питанием от батареи. Каждый раз, когда его две части, корпус датчика и магнит, разделены, происходит передача радиосигнала. Кроме того, SHDWWISENIN1 поставляется с свободным входом напряжения, который может быть подключен к другому магнитному датчику, таким образом, мониторинг, например, две двери / два окна осуществляется только с одним датчиком. Этот оконный датчик предназначен для использования в автоматизации зданий и домов, систем защиты собственности и везде, где необходима информация, связанная с открытием / закрытием дверей, окон и дверей гаража. Установка этого компактного датчика является экономически эффективным решением, которое повышает безопасность и комфорт. Этот полностью программируемый датчик  может быть установлен на любой вид окон и дверей.  Целью Carlo Gavazzi  является возможность обогатить портфель беспроводных модулей, в целях консолидации и укрепления позиции в качестве поставщика решений для автоматизации зданий и домов. Основные технические характеристики: • Диапазон температур: от -20 до + 50 ° C • Аккумулятор поставляется со сроком службы до 5 лет • Режим ожидания для экономии заряда батареи • Беспроводная передача на основе IEEE 802.15.4, на частоте 2,4 ГГц • открытие двери / окна обнаружены с помощью разделения тела датчика и магнита
Надежное и экономически эффективное обнаружение. С помощью нового датчика доступен более полный...
Серийная память HBM появится уже в текущем году Об идее создания трехмерной памяти говорят по крайней мере уже несколько лет, однако серийные 3D DRAM на рынок вышли совсем недавно. Основная сложность связана с соединением слоев ячеек памяти. В настоящее время эта задача выполняется с помощью изготовления сквозных каналов, о чем речь и пойдет ниже.Над стандартом широкополосной памяти HBM (JESD235), частным случаем которого является гибридная многослойная память НМС (http://www.russianelectronics.ru/developer-r/news/9318/doc/66839/), работает комитет JEDEC. Последняя, но еще не окончательная, версия была представлена в феврале текущего года на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2014. Образцы модулей HBM емкостью 8 Гбит уже выпускает компания SK Hynix. Они будут использоваться в видеокартах AMD и NVIDIA. Серийное производство микросхем HBM DRAM SK Hynix запланировано на вторую половину текущего года, а в составе продукции они появятся в 2015 году. Технология Модуль HBМ содержит стек из четырёх кристаллов DRAM с интерфейсом DDR и контроллер памяти. Между собой кристаллы в стеке соединяются с помощью контактных групп u-Bump, которые являются продолжением сквозных соединений в кремниевой подложке (TSV).Межсоединения TSV представляют собой вертикальные переходные отверстия в кремниевой подложке, заполненные токопроводящим материалом, которые обеспечивают электрическое соединение между микросхемами, расположенными друг над другом Соединения TSV обеспечивают максимально компактное решение, поскольку отпадает необходимость в проводных связях с вышележащими кристаллами. Во-вторых, технология TSV допускает размещение стека памяти непосредственно на центральном процессоре или на графическом процессоре (как вариант, стек можно расположить на одной подложке с процессором – это так называемая 2,5D упаковка). В «чистой» 3D-упаковке TSV-металлизация выполнена внутри процессора, стек памяти подключается напрямую через выносную контактную группу.Структура и основные характеристики кристалла НВМ Характеристики Главное преимущество HBM заключается в том, что эта память использует простой логический интерфейс, и она располагается максимально близко к процессору. Благодаря этому встроенная в HBM логика работает с ощутимо меньшим потреблением, а в целом соотношение пропускной способности на ватт у памяти HBM оказывается в три раза меньше, чем в случае использования памяти типа GDDR5.Сравнение пропускной способности и мощности потребления НВМ и GDDR5 Как видно на иллюстрации, при организации обмена данными на уровне 512 Гбайт/с с использованием микросхем GDDR5 потребление набора составит 80 Вт, тогда как четыре микросхемы (четыре стека) HBM с той же скоростью обмена будут потреблять менее 30 Вт. Разница почти в три раза. Сборка HBM DRAM имеет 1024 линий ввода-вывода с пропускной способностью 1 Гбит/с каждая. Общая пропускная способность сборки составляет более 128 Гбайт/с.Сравнение классической ячейки DRAM и многослойной памяти HBM Отметим, что сдерживающим фактором для широкого распространения HBM DRAM является высокая себестоимость решения. Это не только сложность изготовления кристаллов со сквозной металлизацией и последующая упаковка стека с контроллером памяти, но и добавленная стоимость в виде контроллера в составе каждой микросхемы и вдобавок цена базовой соединительной подложки. Рынок Ни одна из последних крупных конференций не прошла без демонстрации образцов памяти HBM DRAM компании SK Hynix. Она была показана на конференции ISSCC 2014, на конференции GPU Technology Conference 2014 и на весенней сессии IDF 2014. Серийный выпуск сборок HBM 8 Гбит (четыре кристалла по 2 Гбит) компания SK Hynix начнёт во второй половине года, а в 2016 году начнется производство сборок 64 Гбит (8 кристаллов по 8 Гбит). Также о своем присутствии на рынке HBM заявила компания Micron, которая уже выпустила одно поколение НMС-памяти и работает над вторым.План использования технологии TSV в ближайшие годы Широкополосную память планируют использовать в своей продукции такие компании, как NVIDIA, AMD, GlobalFoundries, Open Silicon, Amkor и Intel. HBM DRAM SK Hynix Модули первого поколения памяти HBM DRAM компании SK Hynix будут содержать четыре кристалла DRAM 2 Гбит.  Структура кристалла HBM DRAM SK Hynix По центру кристалла расположена зона со сквозными TSV-соединениями. Всего таких соединений-каналов 1024, хотя контроллер памяти, расположенный на пятом слое, имеет 1408 контактов. Блок внешнего сигнального интерфейса расположен на кристалле контроллера со стороны монтажа процессора, чтобы длина внешних соединений была минимальна. Память SK Hynix сконфигурирована таким образом, что к каждому кристаллу имеют доступ два канала котроллера, что обеспечивает разрядность 256 бит (минимальная градация при обращении к памяти составляет 32 байта). Каждый из 8 каналов при этом имеет доступ исключительно к своим банкам, всего их 8 штук на канал. Каждый из банков, в свою очередь, разбит на два суббанка ёмкостью 64 Мбит.Логическая структура HBM DRAM SK Hynix В блоке логики предусмотрены механизмы для самотестирования ячеек памяти и линий интерфейса с возможностью восстанавливать или замещать испорченные ячейки. Также отметим наличие двойного командного интерфейса для обращения к банкам памяти, что позволяет одновременно выполнять команды CAS и RAS по адресации к строкам и столбцам, а также независимо обновлять содержимое ячеек памяти в банках.Двойной командный интерфейс Альтернатива Компания SK Hynix не одна может похвастаться готовыми модулями. Компания Micron работает уже над вторым поколением многослойной гибридной памяти (HMC – Hybrid Memory Cube) с максимальной скоростью 30 Гбит/с на каждую линию интерфейса. Это вдвое больше, чем в первой версии HMC. Данный тип памяти, как мы говорили в самом начале, является частным случаем технологии НВМ.Кристалл HМC В качестве возможной альтернативы HBM DRAM рассматривается модульная сборка GDDR5. Это ещё один новый стандарт, который носит рабочее название GDDR5M (модуль памяти GDDR5). Планируется, что память GDDR5M появится в 2015 году в составе видеокарт и будет использована в качестве оперативной памяти в ноутбуках и настольных компьютерах. Еще одна альтернатива – память с расширенным интерфейсом Wide I/O и Wide I/O 2. Она может использоваться преимущественно в мобильных устройствах, тогда как память HBM – в суперкомпьютерах, видеокартах и в сетевом оборудовании.Сравнение характеристик последних стандартов памяти Память Wide I/O 2 планируется выпускать сразу в одном стеке с прикладным процессором в виде TSV 3D-упаковки, тогда как память HBM DRAM на первых порах будет компоноваться с CPU или GPU в виде 2,5D-упаковки. Это значительно ускорит появление решений NVIDIA и AMD с использованием памяти HBM DRAM. Заключение Многослойные, или объемные, кристаллы – ключ к повышению быстродействия микросхем памяти. Главной сложностью является организация межслойных соединений. Мы рассмотрели вариант решения данной задачи с помощью сквозных каналов, пронизывающих кристалл. Хотя соответствующий стандарт пока находится в стадии разработки, опытные образцы кристаллов, в которых реализована данная технология, уже выходят на рынок. Ожидается, что уже в текущем году будет начат серийный выпуск модулей HBM SK Hynix емкостью 8 Гбит.    Помимо высокого быстродействия объемные модули памяти отличаются низким потреблением, что является существенным фактором для портативных устройств с питанием от батареи.
Об идее создания трехмерной памяти говорят по крайней мере уже несколько лет, однако серийные 3D...
Современные интерфейсы для бытовых электронных приборов С тремясь удовлетворить потребности пользователей, желающих, чтобы у бытовой электронной техники интерфейсы стали более функциональными, разработчики сталкиваются со все большими трудностями, к которым относятся выбор отображаемой информации; способ ее отображения на дисплее; тип интерфейсной технологии и необходимость в использовании сенсорных экранов и графических элементов. Интерфейсы бытового электронного оборудования должны работать на многих уровнях. Они не только должны обеспечивать легкий доступ к каждой востребованной функции, но и быть привлекательными, чтобы вписаться в уютную домашнюю обстановку. Ключ к успеху при проектировании интерфейсов состоит в простоте решения. Например, несколько лет назад на панелях СВЧ-печей появились кнопки для разных режимов приготовления пищи, а также кнопки, предназначенные для вызова подменю алфавитно-цифровой индикации. Однако появление этих кнопок, по большей части, усложнило использование СВЧ-печей. В настоящее время интерфейс этих бытовых приборов, как правило, представляет собой графический дисплей с несколькими или даже одной кнопкой. Универсальные символы Поскольку производители желают, чтобы их бытовая техника продавалась в разных странах мира, население которых говорит на разных языках, необходимо, чтобы кнопки этого оборудования имели универсальные символы. Например, на стиральных машинах и фенах вместо слов Stop и Start стала использоваться единственная кнопка с универсальными символами, прежде применявшимися для обозначения функций Play, Pause или Power (см. рис. 1).Рис. 1. Универсальные символы на сенсорных кнопках на металлической лицевой панели mTouch Metal over Cap Кнопки с программируемыми функциями Однако замена слов символами не обеспечивает тех преимуществ пользовательскому интерфейсу, которые дают кнопки с программируемыми функциями. Эти кнопки позволяют задать требуемый функционал. С помощью одной кнопки может быть реализовано множество разных функций или их отображение на разных языках. Как и универсальные символы, программируемые кнопки позволяют продавать бытовую технику на международном рынке. Идея, лежащая в основе создания программируемых кнопок, позволяет сделать пользовательский интерфейс привлекательным и понятным. Рассмотрим, например, холодильник с морозильной камерой и встроенным диспенсером для воды (или льда). Не так давно на панели этого холодильника красовались разные механические кнопки, позволявшие получить дробленый лед, кубики льда и зажечь свет в диспенсере. Это устройство также было оснащено поворотной ручкой, с помощью которой устанавливалась температура морозильной и холодильной камер. При этом пользователь не имел представления о том, какая температура на самом деле была в холодильнике, а также не мог изменять уровень освещения его камеры. Разработчикам приходилось для каждой кнопки и ручки управления создавать отдельные платы, а производителю – выпускать наклейки на разных языках, если холодильники шли на экспорт. В настоящее время все эти кнопки можно заменить одним пользовательским интерфейсом, расположенным над диспенсером на лицевой панели холодильника. Новый пользовательский интерфейс (см. рис. 2) состоит не более чем из двух закрепленных кнопок и графического дисплея. Пользователи получат возможность узнать текущее значение температуры в холодильной и морозильной камерах, а также задать определенную температуру в каждой из них. Кроме того, у пользователей появится возможность проверить состояние водяного фильтра, не открывая дверцы холодильника, и т.д.Рис. 2. Программируемые кнопки простого интерфейса предоставляют пользователю больше информации и возможностей управления Проектирование интерфейса Поскольку с помощью программируемых кнопок обеспечивается доступ к значительно большему объему информации и повышаются возможности управления оборудованием, разработчикам следует найти золотую середину, чтобы не перегрузить дисплей этой информацией, за которой потеряются важные детали. Цель разработчиков – совместить высокоуровневую информацию, чаще всего востребованную пользователями, с интуитивно понятными контекстными меню с дополнительными сведениями и с возможностью быстро вернуться к начальному экрану. На рисунке 2, например, программируемая кнопка водяного фильтра принимает зеленый цвет, если ресурс фильтра составляет более 30% от максимального срока службы, и желтый, а затем красный цвета по мере дальнейшего исчерпания этого ресурса. Прикасаясь к этой кнопке, пользователь может получить дополнительную информацию о фильтре (например, о времени до его замены). Имеются и другие причины, по которым разработчику может понадобиться дисплейная технология с одной или двумя простыми кнопками, а не закрепленный дисплей или несколько кнопок. К числу этих причин относится возможность обновлять или изменять информацию по мере усовершенствования технологии. Современные встраиваемые микроконтроллеры, которые используются для управления упомянутыми выше интерфейсами, поддерживают подключение к Интернету. Эта функция позволяет загружать с сайта производителей обновления для микропрограмм бытовой техники через USB-порт. Таким образом, для автоматического обновления микропрограммы можно использовать проводное или беспроводное подключение к сети с помощью микроконтроллера (см. рис. 3).Рис. 3. Один микроконтроллер PIC24DA управляет всеми функциями пользовательского интерфейса, включая несколько каналов связиDisplay – дисплей; Touch Screen – сенсорный экран; Wireless Module – модуль беспроводной связи; 16-bit MCU – 16-разрядный МК; USB Connector – USB-разъем; Direct Drive – прямое управление; Capacitive Touch Buttons – емкостные сенсорные кнопки Предположим, что некий производитель изобретет способ, который предотвратит образование волокнистой пыли в стиральных машинах. Через некоторое время на интерфейсы этих машин поступят сообщения с пошаговым описанием того, как выполнить обновление программного обеспечения. В результате обновится меню дисплея, что прежде было невозможно. Проектирование кнопок У разработчиков имеется на выбор несколько технологий для дисплея и внешних кнопок. Новейшие дисплеи имеют сравнительно большие размеры и высокое разрешение. Прежде в дисплеях использовались неяркие резистивные сенсорные экраны с нестойкой к царапинам полиэстерной пленкой. Прозрачность новейших проекционно-емкостных сенсорных экранов выше и достигает 90%, благодаря чему дисплеи выглядят ярче. Эти устройства поддерживают технологию множественного касания. В качестве внешних кнопок можно задействовать стандартные емкостные сенсорные кнопки на непроводящей стеклянной или пластиковой панели. Такие кнопки применяются почти на всех современных изделиях. Емкостная сенсорная технология исключает необходимость в нажатии кнопки – достаточно легко прикоснуться к ней пальцем, чтобы увеличить электрическую емкость на значительную величину. Поскольку эти кнопки не реагируют на прикосновение пальцев в перчатке или на касания ручкой деревянной ложки, для активации их на кухонной плите пользователю придется снимать перчатки всякий раз, когда, например, потребуется изменить температуру приготовления пищи. Для реализации механизма тактильной обратной связи разработчикам необходимо воспользоваться механическими кнопками или емкостной кнопкой с металлической лицевой панелью в соответствии с технологией Metal over Cap (см. рис. 1). Эта технология имеет ту же схемотехнику и принцип измерения, что и обычная емкостная кнопка. Отличие заключается только в конструкции лицевой панели и в более ощутимом нажатии. У кнопки Metal over Cap между лицевой панелью и печатной платой с сенсором находится разделитель, позволяющий панели прогибаться над поверхностью сенсора. Емкость, которая изменяемая при надавливании, измеряется между лицевой панелью и сенсором. Интерфейсы будущего Такие инициативы как Smart Energy и Smart Grid окажут большое влияние на способы отображения и выбор информации. В настоящее время разрабатываются стандарты, которые обеспечат совместимость между разными видами бытового оборудования, в результате чего холодильник, например, сможет обмениваться информацией с печью, а также со счетчиками электроэнергии, термостатом, водонагревателем, стиральной машиной, феном и другими устройствами. В некоторых странах уже введены в действие гибкие цены на энергоносители на основе среднего показателя электропотребления. В результате применения такого подхода станет нецелесообразно, например, использовать посудомоечную машину сразу же после обеда. В будущем у пользователей появится возможность получать в реальном времени информацию на дисплее, позволяющую сравнить стоимость электроэнергии на текущий момент и через несколько часов. Микроконтроллеры, которые управляют новейшими интерфейсами, позволяют конечным пользователям и производителям сократить расходы. Производители получают возможность упростить процесс выпуска изделий, исключив необходимость в изготовлении разных версий интерфейсов для разных стран, а также обеспечив дистанционную диагностику и обновление оборудования. В свою очередь, конечные пользователи получают технику, интерфейсы которой обеспечивают высокий уровень управления и информационную обратную связь в реальном времени. Таким образом, у пользователей появляется возможность принимать более взвешенные решения относительно платы за электроэнергию, потребляемую бытовой электронной техникой.
С тремясь удовлетворить потребности пользователей, желающих, чтобы у бытовой электронной техники...
  • Об идее создания трехмерной памяти говорят по крайней мере уже несколько лет, однако серийные 3D DRAM на рынок вышли совсем недавно. Основная сложность связана с соединением слоев ячеек памяти. В настоящее время эта задача выполняется с помощью изготовления сквозных каналов, о чем речь и пойдет ниже.



    Над стандартом широкополосной памяти HBM (JESD235), частным случаем которого является гибридная многослойная память НМС (http://www.russianelectronics.ru/developer-r/news/9318/doc/66839/), работает комитет JEDEC. Последняя, но еще не окончательная, версия была представлена в феврале текущего года на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2014. Образцы модулей HBM емкостью 8 Гбит уже выпускает компания SK Hynix. Они будут использоваться в видеокартах AMD и NVIDIA. Серийное производство микросхем HBM DRAM SK Hynix запланировано на вторую половину текущего года, а в составе продукции они появятся в 2015 году.

    Технология

    Модуль HBМ содержит стек из четырёх кристаллов DRAM с интерфейсом DDR и контроллер памяти. Между собой кристаллы в стеке соединяются с помощью контактных групп u-Bump, которые являются продолжением сквозных соединений в кремниевой подложке (TSV).

    Межсоединения TSV представляют собой вертикальные переходные отверстия в кремниевой подложке, заполненные токопроводящим материалом, которые обеспечивают электрическое соединение между микросхемами, расположенными друг над другом

    Соединения TSV обеспечивают максимально компактное решение, поскольку отпадает необходимость в проводных связях с вышележащими кристаллами. Во-вторых, технология TSV допускает размещение стека памяти непосредственно на центральном процессоре или на графическом процессоре (как вариант, стек можно расположить на одной подложке с процессором – это так называемая 2,5D упаковка). В «чистой» 3D-упаковке TSV-металлизация выполнена внутри процессора, стек памяти подключается напрямую через выносную контактную группу.

    Структура и основные характеристики кристалла НВМ

    Характеристики

    Главное преимущество HBM заключается в том, что эта память использует простой логический интерфейс, и она располагается максимально близко к процессору. Благодаря этому встроенная в HBM логика работает с ощутимо меньшим потреблением, а в целом соотношение пропускной способности на ватт у памяти HBM оказывается в три раза меньше, чем в случае использования памяти типа GDDR5.

    Сравнение пропускной способности и мощности потребления НВМ и GDDR5

    Как видно на иллюстрации, при организации обмена данными на уровне 512 Гбайт/с с использованием микросхем GDDR5 потребление набора составит 80 Вт, тогда как четыре микросхемы (четыре стека) HBM с той же скоростью обмена будут потреблять менее 30 Вт. Разница почти в три раза.

    Сборка HBM DRAM имеет 1024 линий ввода-вывода с пропускной способностью 1 Гбит/с каждая. Общая пропускная способность сборки составляет более 128 Гбайт/с.

    Сравнение классической ячейки DRAM и многослойной памяти HBM


    Отметим, что сдерживающим фактором для широкого распространения HBM DRAM является высокая себестоимость решения. Это не только сложность изготовления кристаллов со сквозной металлизацией и последующая упаковка стека с контроллером памяти, но и добавленная стоимость в виде контроллера в составе каждой микросхемы и вдобавок цена базовой соединительной подложки.

    Рынок

    Ни одна из последних крупных конференций не прошла без демонстрации образцов памяти HBM DRAM компании SK Hynix. Она была показана на конференции ISSCC 2014, на конференции GPU Technology Conference 2014 и на весенней сессии IDF 2014.

    Серийный выпуск сборок HBM 8 Гбит (четыре кристалла по 2 Гбит) компания SK Hynix начнёт во второй половине года, а в 2016 году начнется производство сборок 64 Гбит (8 кристаллов по 8 Гбит).

    Также о своем присутствии на рынке HBM заявила компания Micron, которая уже выпустила одно поколение НMС-памяти и работает над вторым.

    План использования технологии TSV в ближайшие годы

    Широкополосную память планируют использовать в своей продукции такие компании, как NVIDIA, AMD, GlobalFoundries, Open Silicon, Amkor и Intel.

    HBM DRAM SK Hynix

    Модули первого поколения памяти HBM DRAM компании SK Hynix будут содержать четыре кристалла DRAM 2 Гбит.

     


    Структура кристалла HBM DRAM SK Hynix

    По центру кристалла расположена зона со сквозными TSV-соединениями. Всего таких соединений-каналов 1024, хотя контроллер памяти, расположенный на пятом слое, имеет 1408 контактов. Блок внешнего сигнального интерфейса расположен на кристалле контроллера со стороны монтажа процессора, чтобы длина внешних соединений была минимальна.

    Память SK Hynix сконфигурирована таким образом, что к каждому кристаллу имеют доступ два канала котроллера, что обеспечивает разрядность 256 бит (минимальная градация при обращении к памяти составляет 32 байта). Каждый из 8 каналов при этом имеет доступ исключительно к своим банкам, всего их 8 штук на канал. Каждый из банков, в свою очередь, разбит на два суббанка ёмкостью 64 Мбит.

    Логическая структура HBM DRAM SK Hynix

    В блоке логики предусмотрены механизмы для самотестирования ячеек памяти и линий интерфейса с возможностью восстанавливать или замещать испорченные ячейки.

    Также отметим наличие двойного командного интерфейса для обращения к банкам памяти, что позволяет одновременно выполнять команды CAS и RAS по адресации к строкам и столбцам, а также независимо обновлять содержимое ячеек памяти в банках.

    Двойной командный интерфейс

    Альтернатива

    Компания SK Hynix не одна может похвастаться готовыми модулями. Компания Micron работает уже над вторым поколением многослойной гибридной памяти (HMC – Hybrid Memory Cube) с максимальной скоростью 30 Гбит/с на каждую линию интерфейса. Это вдвое больше, чем в первой версии HMC. Данный тип памяти, как мы говорили в самом начале, является частным случаем технологии НВМ.

    Кристалл HМC

    В качестве возможной альтернативы HBM DRAM рассматривается модульная сборка GDDR5. Это ещё один новый стандарт, который носит рабочее название GDDR5M (модуль памяти GDDR5). Планируется, что память GDDR5M появится в 2015 году в составе видеокарт и будет использована в качестве оперативной памяти в ноутбуках и настольных компьютерах.

    Еще одна альтернатива – память с расширенным интерфейсом Wide I/O и Wide I/O 2. Она может использоваться преимущественно в мобильных устройствах, тогда как память HBM – в суперкомпьютерах, видеокартах и в сетевом оборудовании.

    Сравнение характеристик последних стандартов памяти

    Память Wide I/O 2 планируется выпускать сразу в одном стеке с прикладным процессором в виде TSV 3D-упаковки, тогда как память HBM DRAM на первых порах будет компоноваться с CPU или GPU в виде 2,5D-упаковки. Это значительно ускорит появление решений NVIDIA и AMD с использованием памяти HBM DRAM.

    Заключение

    Многослойные, или объемные, кристаллы – ключ к повышению быстродействия микросхем памяти. Главной сложностью является организация межслойных соединений. Мы рассмотрели вариант решения данной задачи с помощью сквозных каналов, пронизывающих кристалл. Хотя соответствующий стандарт пока находится в стадии разработки, опытные образцы кристаллов, в которых реализована данная технология, уже выходят на рынок. Ожидается, что уже в текущем году будет начат серийный выпуск модулей HBM SK Hynix емкостью 8 Гбит.   

    Помимо высокого быстродействия объемные модули памяти отличаются низким потреблением, что является существенным фактором для портативных устройств с питанием от батареи.

<<<